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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSP318S E6327
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BSP318S E6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSP318S E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSP318S E6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BSP318S E6327.pdf
vorrätig: 4510

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Spezifikation

BSP318S E6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSP318S E6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSP318S E6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSP318S E6327.

Produkteigenschaften BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP316PL6327 BSP317PH6327XTSA1
Artikelnummer BSP318S E6327 BSP318SH6327XTSA1 BSP316PL6327 BSP317PH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 250 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.6A (Ta) 2.6A (Tj) 680mA (Ta) 430mA (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 2V @ 20µA 2V @ 170µA 2V @ 370µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 146 pF @ 25 V 262 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 1.8Ohm @ 680mA, 10V 4Ohm @ 430mA, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4

BSP318S E6327 Datenblatt PDF

Laden Sie BSP318S E6327 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSP318S E6327 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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